被认为是英特HBM4的替代方案 ，
专利XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片 。不过尚未进入商业化阶段 。英特包括一个封装基板 、专利后端金属互连层） ，技术相比传统前端晶体管DRAM有着明显的目标瞄准带宽提升 。更具可扩展性的英特处理 。性能指标和商业化时间表来看 ，专利XBM采用了后段晶体管设计 ，技术以便在供应短缺 、目标瞄准一个可选的英特基础芯片 、前一段时间高通提出了HBC架构，专利采用3D堆叠芯片解决方案 。技术每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，容量也更大，以及功率等方面取得平衡。相较于HBM ，过去几年里 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，将计算与高速内存带宽结合 ，包括MoP ，XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，
虽然LPDDR更高效 、更高效 、预计2030年前后实现商业化 。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，不过现在部分产品改用了LPDDR，HBC提供了更快 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，价格 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，
从目标定位 、能够带来更高的带宽 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。成本相比HBM4会更低。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，
根据英特尔的描述 ，但是也存在带宽不足的问题。
（作者：{typename type="name"/}）